压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应构成的。以单晶硅膜片为弹性元件，在单晶硅膜片特定方向上采用MEMS离子注入工艺，注入一定剂量的离子(硼离子，磷离子，砷离子等)，构成一组等值电阻，并将电阻接成惠斯通电桥，单晶硅膜片置于传感器腔内。当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使位于膜片上电阻产生与被测压力成正比的变化，再由桥式电路获取相应的电压输出信号。位于单晶硅膜片上的电阻(即压阻材料)由离子注入工艺形成，其阻值与注入的离子在单晶硅深度方向上的浓度分布及环境温度有关，如下图所示。注入的离子浓度分布由离子注入的工艺条件(如注入剂量，离子种类，注入能量等)决定。

当前，大多数的多物理场分析软件仅能在压阻系数已知的情况下对压力传感器等器件进行性能分析。实际工艺过程中，压阻系数通常难以确定，而注入离子的浓度分布则容易测得，离子注入的工艺条件也容易得知。为此，IntelliSuite软件的TEM模块拓展了压阻材料的分析功能，在已知注入离子的浓度分布或离子注入的工艺条件的情况下，即可以进行压阻材料器件的仿真分析。